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环球UG充值:海力士乐成量产HBM2E存储,合用于新一代AI系统的存储器办理方案

日期:2020-07-03 浏览:

7月2日动静,据外媒报道,SK 海力士公布,其已可以或许大局限批量出产新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。这是公司去年8月公布完成HBM2E开拓仅十个月之后的成就。

去年8月SK海力士公布乐成研发出新一代 DRAM 内存 / 显存芯片 “HBM2E”。今天,海力士正式已乐成量产这一代 HBM2E 存储。

SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理惩罚速度,通过1,024个I/Os(Inputs/Outputs, 输入/输出)可以或许每秒处理惩罚460GB的数据。这速度相当于可以或许在一秒内传输124部全高清(FHD)影戏(每部3.7GB),是今朝业界速度最快的DRAM办理方案。不只如此,

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,公司的HBM2E借助TSV(Through Silicon Via)技能将8个16Gb DRAM垂直毗连,其容量到达了16GB,是前一代HBM2容量的两倍以上。

HBM2E拥有超高速、高容量、低能耗等特性,是适合深度进修加快器(deep learning accelerator)、高机能计较机等需要高度计较本领的新一代人工智能(AI)系统的存储器办理方案。与此同时,HBM2E将合用于在将来主导气候变革、生物医学、宇宙摸索等下一代基本、应用科学规模研究的Exascale 超等计较机(可以或许在一秒内执行一百亿亿次计较的计较机)。

官方称其 HBM2E 拥有每 pin 3.6Gbps 的机能、每秒 460GB 以上的带宽、 共 1024 个 I / O(输入 / 输出)。HBM2E 通过 TSV(Through Silicon Via)硅穿孔技能垂直堆叠八颗 16Gb DRAM 芯片,容量达16GB,是上一代产物(HBM2)两倍以上的容量。

值得一提的是,SK 海力士也是第一个研发出 HBM 存储的厂商。首发于 2015 年的 AMD Radeon Fury 显卡中。

海力士还暗示,HBM2E 是适合深度进修加快器(deep learning accelerator)、高机能计较机等新一代人工智能(AI)系统的存储器办理方案,将用于更多相助同伴的产物。

吴钟勋SK海力士副社长兼首席营销官(Chief Marketing Officer, CMO)暗示:“SK海力士通过开拓世界第一款HBM(High Bandwidth Memory)等成就一直引领着有助于人类文明成长的新一代技能革新。公司将通过本次HBM2E量产强化高端存储器市场上的职位,并建议第四次工业革命。”

注:

HBM(High Bandwidth Memory,高带宽内存)

-相较传统DRAM,借助TSV技能奔腾性地晋升数据处理惩罚速度的高机能、高带宽存储器产物

TSV(Through Silicon Via,硅通孔技能)

- 在DRAM芯片打上数千个细微孔并通过垂直意会的电极毗连上下芯片的技能

- 该技能在缓冲芯片(buffer chip)大将数个DRAM芯片堆叠起来,并通过意会所有芯片层的柱状通道传输信号、指令、电流。

- 相较传统封装方法,该技能可以或许缩减30%体积,并低落50%能耗。

数据处理惩罚速度换算法则

- 1GB = 8Gb

- 以每个pin 3.6Gbps的速度通过1,024个数据I/Os举办运算 = 3686.4Gbps

- 3686.4Gbps / 8 = 460.8GB/s (Gb -》 GB换算)